TEM 透射電子顯微鏡分析

透射電子顯微鏡是材料科學的一個非常強大的工具。 高能電子束穿過非常薄的樣品，利用電子和原子之間的相互作用來觀察晶體結構等性質以及結構中的位錯和晶界等性質。 化學分析也可以用這種方法進行。

透射電子顯微鏡（TEM）是一種用於檢測半導體層生長、成分和缺陷的分析方法。高解析度成像技術可用於分析材料的品質、形狀、尺寸和密度。

TEM 透射電子顯微鏡分析的工作原理與光學顯微鏡相同，但使用電子而不是光。 由於電子的波長遠小於光的波長，因此這些分析圖像的最佳分辨率比光學顯微鏡好一個數量級。 因此，這種分析方法可以揭示內部結構的最微小細節，在某些情況下小到單個原子。

在成像過程中，來自電子槍的電子束使用聚光鏡聚焦成細小的相干光束。 該光束由聚光鏡孔徑限制，不包括高角度電子。 然後光束撞擊樣品並根據樣品的厚度和電子透明度傳輸碎片。 該透射部分由物鏡聚焦到熒光屏或電荷連接器件照相機上的圖像上。 可選的透鏡孔徑用於通過阻擋高角度衍射電子來增加對比度。 然後圖像被完全放大。 圖像撞擊熒光屏並產生光，讓用戶看到圖像。 圖像的較暗區域表示樣品中傳輸的電子較少的區域，而圖像的較亮區域表示樣品中傳輸更多電子的區域。

測試樣品必須足夠薄以傳輸足夠的電子以形成能量損失最小的圖像。 因此，樣品製備是 TEM 分析過程的一個重要方面。

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