MIL-DTL-83528G 詳細規格:墊片材質 - 導體、屏蔽墊片、電子、彈性體、EMI/RFI 的一般規格

MIL-DTL-83528G 詳細規格:墊片材質 - 導體、屏蔽墊片、電子、彈性體、EMI/RFI 的一般規格

美國國防部製定的標準「MIL-DTL-83528G 詳細規範:墊片材料 – 導體、屏蔽墊片、電子、彈性體、EMI/RFI 的通用規範」描述了導電彈性體屏蔽墊片的一般要求。這些密封件設計用於電磁幹擾/射頻幹擾抑制應用。導電彈性體墊片是高導電性、機械耐用性和合規性的硫化墊片,可在配合的電子設備外殼法蘭或蓋之間提供低界面電阻,同時提供防潮、壓力或環境密封。

MIL-DTL-83528G 詳細規格:墊片材質 - 導體、屏蔽墊片、電子、彈性體、EMI/RFI 的一般規格

本標準中材料類型定義如下:

  • 答:鍍銀、銅填充矽膠。在10GHz負55度至正125度的連續使用溫度範圍內,平面波防護效率為110dB。
  • B:鍍銀、鋁填充矽膠。在 10 GHz 負 55 度至正 160 度的連續使用溫度範圍內,具有 100 dB 平面波防護效能。
  • A:鍍銀、銅填充氟矽樹脂。它在 10 GHz 負 55 度至正 125 度的連續使用溫度範圍內具有 110 dB 平面波屏蔽效率,並且耐溶劑和噴氣燃料。
  • D:鍍銀、鋁填充氟矽樹脂。它在 10 GHz 負 55 度至正 160 度的連續使用溫度範圍內平面波屏蔽效率為 90 dB,並且耐溶劑和噴氣燃料。
  • E:中等硬度,純銀填充矽膠。在10GHz--55度到+160度的連續使用溫度範圍內,平面波防護效率為110dB。
  • F: 氟矽樹脂填充純銀。它在 10 GHz 負 65 度至正 160 度的連續使用溫度範圍內平面波屏蔽效率為 110 dB,並且耐溶劑和噴氣燃料。
  • G:鍍銀、銅填充矽膠、擴展銅箔增強。在10GHz負45度至正125度的連續使用溫度範圍內,平面波防護效率為110dB。
  • H: 高硬度、純銀填充矽膠。在10GHz--55度到+160度的連續使用溫度範圍內,平面波防護效率為110dB。
  • J:低硬度、純銀填充矽膠。它在 10 GHz 的負 55 度至正 160 度的連續使用溫度範圍內具有 80 dB 的平面波屏蔽效能。
  • K:高硬度、鍍銀、銅填充矽膠。它在 10 GHz 的負 45 度至正 125 度的連續使用溫度範圍內具有 110 dB 的平面波屏蔽效能。
  • L:鍍銀、鎳填充矽膠。它在 10 GHz 負 55 度至正 125 度的連續使用溫度範圍內具有 100 dB 平面波屏蔽效能。
  • M:鍍銀玻璃填充矽膠。它在 10 GHz 的負 55 度至正 160 度的連續溫度範圍內具有 100 dB 的平面波屏蔽效率。

本規範中提供的墊片必須是經過測試並通過本文規定的資格審核的產品,並且已列入或批准列入適用的合格產品清單。

目視檢查必須依照本標準進行。

樣品的尺寸和公差由適用的測試程序規範控制。產品尺寸和公差必須符合本標準控制的適用產品規範的要求。

除非另有規定,標準測試樣品必須符合標準中提供的表格中規定的規格。這些規格必須如實際產品形式的適用規格表中所述。

墊圈未標記,但允許最大間隙為 0,01 毫米。單位包裝依照 MIL-STD-129 標準進行標示:

  • 軍事密碼
  • 製造商的原始碼
  • 材質類型
  • 生產固化日期代碼
  • 生產批號
  • 適用時製造商設施代碼符號

墊片應透過任何合適的工藝或不損壞產品的工藝進行清潔和乾燥。若使用防腐劑,每個單元包裝內應包含非腐蝕性、無硫硬化劑,以保護密封。

應盡可能充分使用回收、回收、環保或生物基材料,前提是該材料滿足或超過操作和維護要求,並提高經濟上有利的生命週期成本。

純錫禁止在內部和外部作為底板或面漆。墊片和焊料的錫含量以質量計不應超過97%。錫合金中必須含有至少 3% 的鉛(以質量計)。

墊片的加工方式必須品質一致並代表受控工業技術。所有表面不得有毛邊、模具痕跡、裂紋痕跡、刮痕、污垢、油脂、氧化皮、碎片以及其他可能影響密封件壽命、適用性、性能或外觀的缺陷。

在我們的組織憑藉訓練有素的專家人員和先進的技術設備為各行業的企業提供的眾多測試、測量、分析和評估研究中,“MIL-DTL-83528G 詳細規格:墊片材料- 導體、保護墊片、電子、彈性體,也提供「EMI/RFI通用規範」標準中定義的測試服務。

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