MIL-DTL-83528G 详细规格：垫片材料 - 导体、屏蔽垫片、电子、弹性体、EMI/RFI 的一般规格

美国国防部制定的标准“MIL-DTL-83528G 详细规范：垫片材料 – 导体、屏蔽垫片、电子、弹性体、EMI/RFI 的通用规范”描述了导电弹性体屏蔽垫片的一般要求。这些密封件设计用于电磁干扰/射频干扰抑制应用。导电弹性体垫片是高导电性、机械耐用性和合规性的硫化垫片，可在配合的电子设备外壳法兰或盖之间提供低界面电阻，同时提供防潮、压力或环境密封。

本标准中材料类型定义如下：

• 答：镀银、铜填充硅胶。在10GHz负55度至正125度的连续使用温度范围内，平面波防护效率为110dB。
• B：镀银、铝填充硅胶。在10GHz--55度到+160度的连续使用温度范围内，具有100dB的平面波防护效率。
• A：镀银、铜填充氟硅树脂。它在 10 GHz 负 55 度至正 125 度的连续使用温度范围内具有 110 dB 平面波屏蔽效率，并且耐溶剂和喷气燃料。
• D：镀银、铝填充氟硅树脂。它在 10 GHz 负 55 度至正 160 度的连续使用温度范围内平面波屏蔽效率为 90 dB，并且耐溶剂和喷气燃料。
• E：中等硬度，纯银填充硅胶。在10GHz--55度到+160度的连续使用温度范围内，平面波防护效率为110dB。
• F: 氟硅树脂填充纯银。它在 10 GHz 负 65 度至正 160 度的连续使用温度范围内平面波屏蔽效率为 110 dB，并且耐溶剂和喷气燃料。
• G：镀银、铜填充硅胶、扩展铜箔增强。在10GHz负45度至正125度的连续使用温度范围内，平面波防护效率为110dB。
• H: 高硬度、纯银填充硅胶。在10GHz--55度到+160度的连续使用温度范围内，平面波防护效率为110dB。
• J：低硬度、纯银填充硅胶。它在 10 GHz 的负 55 度至正 160 度的连续使用温度范围内具有 80 dB 的平面波屏蔽效能。
• K：高硬度、镀银、铜填充硅胶。它在 10 GHz 的负 45 度至正 125 度的连续使用温度范围内具有 110 dB 的平面波屏蔽效能。
• L：镀银、镍填充硅胶。它在 10 GHz 的负 55 度至正 125 度的连续使用温度范围内具有 100 dB 平面波屏蔽效能。
• M：镀银玻璃填充硅胶。它在 10 GHz 的负 55 度至正 160 度的连续温度范围内具有 100 dB 的平面波屏蔽效率。

本规范中提供的垫片必须是经过测试并通过本文规定的资格审核的产品，并且已列入或批准列入适用的合格产品清单。

目视检查必须按照本标准进行。

样品的尺寸和公差由适用的测试程序规范控制。产品尺寸和公差必须满足本标准控制的适用产品规范的要求。

除非另有规定，标准测试样品必须符合标准中提供的表格中规定的规格。这些规格必须如实际产品形式的适用规格表中所述。

垫圈未标记，但允许最大间隙为 0,01 毫米。单位包装按照 MIL-STD-129 标准进行标记：

• 军事密码
• 制造商的源代码
• 材质类型
• 生产固化日期代码
• 生产批号
• 适用时制造商设施代码符号

垫片应通过任何合适的工艺或不损坏产品的工艺进行清洁和干燥。如果使用防腐剂，每个单元包装内应包含非腐蚀性、无硫硬化剂，以保护密封。

应尽可能充分地使用回收、回收、环保或生物基材料，前提是这些材料满足或超过操作和维护要求，并提高经济上有利的生命周期成本。

纯锡禁止在内部和外部作为底板或面漆。垫片和焊料的锡含量按质量计不应超过97%。锡合金中必须含有至少 3% 的铅（按质量计）。

垫片的加工方式必须质量一致并代表受控工业技术。所有表面不得有毛刺、模具痕迹、裂纹痕迹、划痕、污垢、油脂、氧化皮、碎片以及其他可能影响密封件寿命、适用性、性能或外观的缺陷。

在我们的组织凭借训练有素的专家人员和先进的技术设备为各个行业的企业提供的众多测试、测量、分析和评估研究中，“MIL-DTL-83528G 详细规格：垫片材料 - 导体、保护垫片、电子、弹性体，还提供“EMI/RFI通用规范”标准中定义的测试服务。